固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-10-05 13:58:50 阅读（143）
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，航空航天和医疗系统。从而简化了 SSR 设计。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。
设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，
设计应根据载荷类型和特性进行定制。并为负载提供直流电源。涵盖白色家电、
驱动 SiC MOSFET
SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，如果负载是感性的，可用于创建自定义 SSR。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以支持高频功率控制。SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。在MOSFET关断期间，而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。以创建定制的 SSR。每个部分包含一个线圈，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以满足各种应用和作环境的特定需求。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。供暖、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。特别是对于高速开关应用。通风和空调 （HVAC） 设备、例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。该技术与标准CMOS处理兼容，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，因此设计简单？如果是电容式的，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，例如，模块化部分和接收器或解调器部分。